STMicroelectronics впроваджує новий стандарт побудови вхідних вузлів високочастотних пристроїв

3.04.2013

Нова мікросхема STHVDAC-304MF3 компанії STMicroelectronics має 4 канали, призначених для керування налаштовуємими BST конденсаторами (BST – Barium Strontium Titanate – титанат стронцію барію) у схемах узгодження багатосмугових антен GSM/WCDMA/3G-LTE смартфонів. Ключовою особливістю мікросхеми є підтримка специфікації RFFE (RF Front End – вхідний ВЧ вузол) альянсу MIPI – недавно з’явившогося стандарту, покликаного спростити розробку пристроїв стільникового радіозв’язку.

STHVDAC-304MF3 керується по високошвидкісному двопровідному інтерфейсу з рівнями сигналів 1.8 В, сумісного з інтерфейсом RFFE. Мікросхема містить чотири високовольтних ЦАП з вихідною напругою від 2 до 20 В, необхідною для налаштування BST конденсаторів. У приладах передбачений режим синхронізації для розвантаження трафіку в критичних до часу додатках і режим відключення для збільшення ресурсу батарей. Новий пристрій стає другим приладом в лінійці контролерів BST конденсаторів компанії STMicroelectronics. Випущена раніше 3-канальна мікросхема STHVDAC-303 має стандартний інтерфейс SPI-хост.

Пристрій випускається серійно в корпусах з розмірами кристала, що мають крок виводів 0.4 мм і висоту 0.6 мм. При замовленні понад 1000 мікросхем кожна буде коштувати від $ 0.50.


Написати коментар

Ви повинні зареєструватись на порталі, щоб отримати право залишити коментар.