NXP представила нові пластикові корпуси для силових транзисторів радіочастотного діапазону

1.06.2011

   Компанія NXP Semiconductors оголосила про випуск повної лінійки силових пристроїв радіочастотного діапазону з максимальною потужністю від 2,5 до 200 Вт у нових пресованих пластикових корпусах (OMP – over molded plastic). Нова лінійка пристроїв OMP буде введений в якості доповнення до широкого асортименту продуктів компанії NXP у керамічних корпусах, надаючи клієнтам вибір комплектуючих для більш чутливих до віртості рішень, зберігаючи при цьому необхідний рівень продуктивності у радіочастотному діапазоні.

   OMP компанії NXP охоплює всі частотні діапазони та  застосування: 10 – 500-МГц ISM, 470 860-МГц  телевізійне мовлення, 700 – 2200-МГц GSM, WCDMA зв’язок, 2300 – 2700-МГц LTE зв’язок, 2,45 ГГц ISM, а також навіть продукти для 2700 – 3500 МГц в S-діапазоні. Продукція у новому корпусі буде поширюватися на всі існуючі категорії: дискретні драйвери попередніх каскадів(2,5 – 10 Вт), драйвери (20 – 45 Вт), MMICи (20 – 60 Вт), вихідні драйвери (50 – 200 Вт) і інтегрованиі пристрої Доерті (50 – 110 Вт).

   OMP продукції до 10 Вт буде використовувати існуючі корпуси IC NXP, разом з новими корпусами,  розробленими для більш високих потужності. Для клієнтів, які використовують повністю поверхневий монтаж, на додаток до  корпусів з традиційним прямовивідним варіантом будуть доступні варіанти корпусів з виводами типу “‘крило чайки”. Обмежений набір  пристроїв, для яких на сьогодні доступні зразки, у серійне виробництва планується запустити в 4 кварталі 2011 року.

   Особливості
   -   Використання в діапазоні від постійного струму до 3500 МГц
   -  Однокаскадні широкосмугові драйвери в корпусі HVSON, від 2,5 до 10 Вт
   -  Однокаскадні драйвери від 25 до 45 Вт
   -  Двокаскадні MMICи від 20 до 60 Вт, які можуть бути використані в якості драйверів з підвищеним коефіцієнтом передачі, або комбіновані у  малопатужні двокаскадні підсилювачі Доерті
   -  Повністю інтегровані “plug-and-play” підсилювачі потужності Доерті  в одному корпусі (50 до 110 Вт)
   -  Вихідні транзистори від 50 до 200 Вт в корпусі SOT502

 


Написати коментар

Ви повинні зареєструватись на порталі, щоб отримати право залишити коментар.