Samsung почала випуск 3-Bit MLC NAND flash-пам’яті ємністю 128 Гб

11.04.2013

Компанія Samsung Electronics в квітня 2013 року почала масовий випуск мікросхем 3-bit MLC NAND flash-пам’яті об’ємом 128 Гб, виконаних за технологією 10 нм.

Ці чудові за своїми параметрами мікросхеми дозволять створювати пристрої, що запам’ятовують з високою щільністю запису, такі як вбудовані NAND-накопичувачі і твердотільні жорсткі диски.

NAND flash-пам’ять ємністю 128 Гб заснована на 3-бітних багаторівневих осередках (3-bit MLC) і 10-нм технологічному процесі. Вона володіє найвищою щільністю запису в галузі і найвищою швидкістю передачі даних 400 Мб / с по інтерфейсу Toggle DDR 2.0.

Завдяки 128 Гб NAND flash-пам’яті Samsung збільшить випуск карт пам’яті об’ємом 128 ГБ, на яких можна зберігати до 16 відеофайлів формату full HD розміром 8 ГБ кожен. Крім того, це дозволить збільшити обсяги виробництва твердотільних накопичувачів з щільністю понад 500 ГБ для їх широкого розповсюдження в комп’ютерних системах. Також Samsung дістанеться провідна роль у процесі витіснення жорстких дисків твердотільними накопичувачами на ринку ноутбуків.

Попит на 3-bit MLC NAND flash-пам’ять і ємність 128 Гб стрімко зростає, що призводить до повсюдного застосування твердотільних накопичувачів об’ємом понад 250 ГБ. Яскравим прикладом може послужити серія Samsung SSD 840.

У листопаді минулого року Samsung почала випуск мікросхем MLC NAND flash-пам’яті об’ємом 64 Гб, вироблених за технологією 10 нм, а через п’ять місяців поповнила сімейство запам’ятовуючих пристроїв з високою щільністю запису новими мікросхемами NAND flash-пам’яті ємністю 128 Гб. Нові мікросхеми розширюють представлену в 2010 році лінійку 3-bit NAND flash-пам’яті об’ємом 64 Гб, виконану за 20-нм технології. Крім того, нові пристрої більш ніж в два рази перевершують за швидкістю своїх 64-гігабітних попередників.


Написати коментар

Ви повинні зареєструватись на порталі, щоб отримати право залишити коментар.