NXP представила нові пластикові корпуси для силових транзисторів радіочастотного діапазону
1.06.2011
Компанія NXP Semiconductors оголосила про випуск повної лінійки силових пристроїв радіочастотного діапазону з максимальною потужністю від 2,5 до 200 Вт у нових пресованих пластикових корпусах (OMP – over molded plastic). Нова лінійка пристроїв OMP буде введений в якості доповнення до широкого асортименту продуктів компанії NXP у керамічних корпусах, надаючи клієнтам вибір комплектуючих для більш чутливих до віртості рішень, зберігаючи при цьому необхідний рівень продуктивності у радіочастотному діапазоні.
OMP компанії NXP охоплює всі частотні діапазони та застосування: 10 – 500-МГц ISM, 470 860-МГц телевізійне мовлення, 700 – 2200-МГц GSM, WCDMA зв’язок, 2300 – 2700-МГц LTE зв’язок, 2,45 ГГц ISM, а також навіть продукти для 2700 – 3500 МГц в S-діапазоні. Продукція у новому корпусі буде поширюватися на всі існуючі категорії: дискретні драйвери попередніх каскадів(2,5 – 10 Вт), драйвери (20 – 45 Вт), MMICи (20 – 60 Вт), вихідні драйвери (50 – 200 Вт) і інтегрованиі пристрої Доерті (50 – 110 Вт).
OMP продукції до 10 Вт буде використовувати існуючі корпуси IC NXP, разом з новими корпусами, розробленими для більш високих потужності. Для клієнтів, які використовують повністю поверхневий монтаж, на додаток до корпусів з традиційним прямовивідним варіантом будуть доступні варіанти корпусів з виводами типу “‘крило чайки”. Обмежений набір пристроїв, для яких на сьогодні доступні зразки, у серійне виробництва планується запустити в 4 кварталі 2011 року.
Особливості
- Використання в діапазоні від постійного струму до 3500 МГц
- Однокаскадні широкосмугові драйвери в корпусі HVSON, від 2,5 до 10 Вт
- Однокаскадні драйвери від 25 до 45 Вт
- Двокаскадні MMICи від 20 до 60 Вт, які можуть бути використані в якості драйверів з підвищеним коефіцієнтом передачі, або комбіновані у малопатужні двокаскадні підсилювачі Доерті
- Повністю інтегровані “plug-and-play” підсилювачі потужності Доерті в одному корпусі (50 до 110 Вт)
- Вихідні транзистори від 50 до 200 Вт в корпусі SOT502
Найпопулярніше
- Atmel maXTouch застосовано в планшетнику Samsung Galaxy Tab 10.1
- Нова технологія FingerTip компанії STMicroelectronics для сенсорних екранів краще подавляє електричні завади
- Новий сенсор руху STMicroelectronics об'єднав п'ять ступенів просторової орієнтації
- NXP представила нові пластикові корпуси для силових транзисторів радіочастотного діапазону
- NXP позиціонує GaN технологію як головний напрямок
Останні публікації
- Active-Semi розширила сімейство ШІМ регуляторів
- Embest Technologies випускає відлагоджувальну плату MarS Board з двоядерним процесором Freescale i.М6
- Cypress представила архітектуру програмованих систем-на-кристалі PSoC 4 з ядром ARM Cortex-M0
- Infineon представила інноваційну технологію корпусування силових приладів
- Samsung почала випуск 3-Bit MLC NAND flash-пам’яті ємністю 128 Гб